[번역] 인텔, CMOS를 넘어선 미래의 로직 디바이스 개발

https://www.techpowerup.com/250223/intel-looks-beyond-cmos-to-the-future-of-logic-devices

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오늘, '네이처(Nature)' 는 인텔, 캘리포니아(California) 대학, 버클리(Berkeley) 대학, 국립 연구소의 연구원이 저술한 차세대 로직 디바이스에 대한 연구 보고서를 발표했습니다.

이 보고서는 인텔이 개발한 MESO(Magneto Electric Spin Orbit) 로직 디바이스에 대해 설명합니다.

MESO 로직 디바이스는 오늘날의 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductors) 에 비해 초절전 상태와 결합할 때 전압은 5배, 에너지는 10~30배 정도 낮출 수 있는 가능성이 있습니다.

인텔이 CMOS 확장을 추진하면서, 향후 10년간 CMOS를 넘어 컴퓨팅 에너지 효율을 높이고 다양한 컴퓨팅 이카텍처의 성능을 향상시킬 수 있도록 하는 컴퓨팅 로직 옵션 개발에 주력했습니다.

인텔 수석 연구원 겸 기술/제조 그룹의 탐색 통합 회로(Exploratory Integrated Circuits) 그룹 책임자인 이안 영(Ian Young) 은 이렇게 말했습니다.

"우리는 CMOS 시대를 뛰어넘은 컴퓨팅을 위한 진화적인 방식이 아닌, 혁명적인 방식을 찾고 있습니다.

MESO는 저전압 인터커넥트, 저전압 자기 전기를 중심으로 구축되었습니다.

이는 컴퓨팅과 양자 물질 혁신을 선사합니다.

우리는 우리가 한 진전에 대한 흥분을 감추지 못하고 있으며 스위칭 전압을 잠재적으로 향해 더욱 감소시키는 미래의 시연을 고대하고 있습니다."

인텔 연구원들은 미래의 컴퓨팅 요구 사항을 염두에두고 메모리, 인터커넥트, 로직 요구사항을 가진 MESO 디바이스를 만들었습니다.

MESO 장치는 UC 버클리와 로렌스(Lawrence) 버클리 국립 연구소가 개발한 자기 전기 재료를 사용하여 상온에서 급격한 양자 동작을 하는 양자 재료를 사용하여 인텔에서 프로토타입으로 만든겁니다.

MESO는 물리학의 혼합 단위(Unité Mixte de Physique) CNRS / 탈레스(Thales) 의 알버트 퍼트(Albert Fert) 가 기술한 스핀-궤도 효과도 활용합니다.

인텔의 기능 전자 통합, 제조 기술 센터의 수석 과학자인 사시칸트 마니파트루나(Sasikanth Manipatruni) 는 이렇게 말했습니다.

"MESO는 상온 양자 재료로 제조된 장치이며, 이것은 가능한 것의 한 예시이며 산업계/학계/국가 연구실의 혁신을 촉구합니다.

새로운 유형의 컴퓨팅 장치, 아키텍처를 사용하려면 많은 중요한 재료와 기술이 아직 개발되지 않았습니다.

네이처의 발행물은 여기에서 볼 수 있습니다.