[번역] SK 하이닉스, 10nm급 8Gb DDR4 DRAM 개발

https://www.techpowerup.com/249443/sk-hynix-develops-10-nm-class-8-gb-ddr4-dram

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SK 하이닉스는 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM을 개발했다고 발표했습니다.

전세대인 1Xnm DRAM에 비해서 생산성은 20% 증가, 소비 전력은 15% 이상 감소했습니다.

또한 DDR4 인터페이스에서 가장 빠른 데이터 처리 속도인 3,200Mbps 데이터 전송 속도를 지원합니다.

SK 하이닉스는 데이터 전송 속도와 안정성을 높이기 위해 클럭 신호를 2배로 높이는 '4페이즈 클러킹(Phase Clocking)' 체제를 발표했습니다.

또한 SK 하이닉스는 자사의 'Sense Amp. Control' 제어 기술을 사용하여 전력 소비, 데이터 오류를 줄입니다.

이 기술을 통해 하이닉스는 감지 증폭기의 성능을 성공적으로 향상시켰습니다.

SK 하이닉스는 트랜지스터 구조를 개선하여 데이터 오류의 가능성을 줄였습니다.

또한 회사는 불필요한 전력 소비를 막기 위해 회로에 저전력 전원 공급 장치를 추가했습니다.

DRAM 마케팅 본부장인 김석 부사장은 이렇게 말했습니다.

"1Ynm 8Gb DDRr DRAM은 고객에게 최적의 성능과 밀도를 제공합니다.

SK 하이닉스는 시장 수요에 능동적으로 대응하기 위해 내년 1분기부터 출하할 것입니다."

SK 하이닉스는 1Ynm 기술 공정을 서버, PC 분야로 확대할 계획이며, 이후에는 모바일 디스플레이와 같은 다양한 애플리케이션에 적용할 계획입니다.